TPS28226DR

Texas Instruments

TPS28226DR

Datasheet

模拟与电源

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

在产8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号TPS28226
Channel TypeSynchronous
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeN-Channel MOSFET
输入类型Non-Inverting
制造商Texas Instruments
安装类型Surface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)10ns, 10ns

电气

High Side Voltage - Max (Bootstrap)33 V
供电电压6.8V ~ 8.8V

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SOIC

环境

工作温度-40°C ~ 125°C (TJ)