TPS2812DR

Texas Instruments

TPS2812DR

Datasheet

模拟与电源

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

在产8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号TPS2812
Channel TypeSynchronous
Driven ConfigurationLow-Side
Gate TypeN-Channel MOSFET
输入类型Non-Inverting
制造商Texas Instruments
安装类型Surface Mount
Number of Drivers2
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
Rise / Fall Time (Typ)14ns, 15ns

电气

Current - Peak Output (Source, Sink)2A, 2A
Logic Voltage - VIL, VIH1V, 4V
供电电压4V ~ 14V

机械

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SOIC

环境

工作温度-40°C ~ 125°C (TA)