LMG1210RVRT

Texas Instruments

LMG1210RVRT

Datasheet

模拟与电源

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 19WQFN

在产19-WFQFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号LMG1210
Channel TypeIndependent
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeN-Channel MOSFET
输入类型Non-Inverting
制造商Texas Instruments
安装类型Surface Mount, Wettable Flank
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)500ps, 500ps

电气

Current - Peak Output (Source, Sink)1.5A, 3A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)200 V
供电电压4.75V ~ 5.25V, 6V ~ 18V

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case19-WFQFN Exposed Pad
供应商器件封装19-WQFN (3x4)

环境

工作温度-40°C~125°C(TJ)