L6491DTR

STMicroelectronics

L6491DTR

Datasheet

模拟与电源

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO

在产14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号L6491
Channel TypeIndependent
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeIGBT, N-Channel MOSFET
输入类型Non-Inverting
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)15ns, 15ns

电气

Current - Peak Output (Source, Sink)4A, 4A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)600 V
Logic Voltage - VIL, VIH1.45V, 2V
供电电压10V ~ 20V

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装14-SO

环境

工作温度-40°C~125°C(TJ)