L6385ED

STMicroelectronics

L6385ED

Datasheet

模拟与电源

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

在产8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号L6385
Channel TypeIndependent
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeIGBT, N-Channel MOSFET
输入类型Inverting
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)50ns, 30ns

电气

Current - Peak Output (Source, Sink)400mA, 650mA
High Side Voltage - Max (Bootstrap)600 V
Logic Voltage - VIL, VIH1.5V, 3.6V
供电电压17V (Max)

机械

封装Tube
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SOIC

环境

工作温度-40°C~150°C(TJ)