BS2132F-E2

Rohm Semiconductor

BS2132F-E2

模拟与电源

600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE

停产/老旧28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号BS2132
Channel Type3-Phase
Driven ConfigurationHigh-Side
Gate TypeIGBT, N-Channel MOSFET
输入类型Non-Inverting
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Surface Mount
Number of Drivers3
Product StatusObsolete
Rise / Fall Time (Typ)125ns, 50ns

电气

High Side Voltage - Max (Bootstrap)600 V
Logic Voltage - VIL, VIH0.8V, 2.6V
供电电压11.5V ~ 20V

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
供应商器件封装28-SOP

环境

工作温度-40°C~125°C(TA)