BM60212FV-CE2

Rohm Semiconductor

BM60212FV-CE2

Datasheet

模拟与电源

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 20SSOP

在产20-SSOP (0.240", 6.10mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号BM60212
Channel TypeSynchronous
Driven ConfigurationHigh-Side and Low-Side
Gate TypeIGBT, N-Channel MOSFET
输入类型Non-Inverting
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Surface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)50ns, 50ns
系列Automotive, AEC-Q100

电气

Current - Peak Output (Source, Sink)4.5A, 3.9A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)1200 V
Logic Voltage - VIL, VIH0.8V, 2V
供电电压10V ~ 24V

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case20-SSOP (0.240", 6.10mm Width)
供应商器件封装20-SSOP-BW

环境

工作温度-40°C~125°C(TA)