ISL2100AAR3Z-T

Renesas Electronics Corporation

ISL2100AAR3Z-T

Datasheet

模拟与电源

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 9DFN

在产9-VFDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号ISL2100
Channel TypeIndependent
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeN-Channel MOSFET
输入类型Non-Inverting
制造商Renesas Electronics Corporation
安装类型Surface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)10ns, 10ns

电气

Current - Peak Output (Source, Sink)2A, 2A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)114 V
Logic Voltage - VIL, VIH3.7V, 7.4V
供电电压9V ~ 14V

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case9-VFDFN Exposed Pad
供应商器件封装9-DFN-EP (3x3)

环境

工作温度-40°C ~ 125°C (TJ)