HIP2106AIRZ-T

Renesas Electronics America Inc

HIP2106AIRZ-T

Datasheet

模拟与电源

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN

在产10-VFDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号HIP2106
Channel TypeSynchronous
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeN-Channel MOSFET
制造商Renesas Electronics America Inc
安装类型Surface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive

电气

Current - Peak Output (Source, Sink)-, 4A
Logic Voltage - VIL, VIH1.3V, 1.9V
供电电压4.5V ~ 5.5V

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case10-VFDFN Exposed Pad
供应商器件封装10-DFN (3x3)

环境

工作温度-40°C~85°C(TA)