HIP2105FRZ

Renesas Electronics America Inc

HIP2105FRZ

Datasheet

模拟与电源

SYNCH RECT BUCK MOSFET HI/LI INP

在产10-VFDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号HIP2105
Channel TypeSynchronous
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeN-Channel MOSFET
输入类型Non-Inverting
制造商Renesas Electronics America Inc
安装类型Surface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)15ns, 15ns

电气

Current - Peak Output (Source, Sink)4A, 4A
Logic Voltage - VIL, VIH1.65V, 1.3V
供电电压4.5V ~ 5.5V

机械

封装Tube
Package / Case10-VFDFN Exposed Pad
供应商器件封装10-DFN (3x3)

环境

工作温度-40°C~125°C(TA)