IGD515EI

Power Integrations

IGD515EI

Datasheet

模拟与电源

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE

已停产Module模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号IGD515
Channel TypeSingle
Driven ConfigurationHigh-Side or Low-Side
Gate TypeIGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
制造商Power Integrations
安装类型Through Hole
Number of Drivers1
Product StatusNot For New Designs
Rise / Fall Time (Typ)40ns, 40ns
系列SCALE™-1

电气

Current - Peak Output (Source, Sink)15A, 15A
Logic Voltage - VIL, VIH0.9V, 3.8V
供电电压12V ~ 16V

机械

封装Bulk
Package / CaseModule
供应商器件封装Module

环境

工作温度-40°C~85°C(TA)