2SD316EI-12

Power Integrations

2SD316EI-12

模拟与电源

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE

停产/老旧Module模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeIGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
制造商Power Integrations
安装类型Chassis Mount
Number of Drivers2
Product StatusObsolete
系列SCALE™-1

电气

Current - Peak Output (Source, Sink)18A, 18A
供电电压15V

机械

封装Tray
Package / CaseModule
供应商器件封装Module

环境

工作温度-40°C~85°C(TA)