NCP81085MTTXG

onsemi

NCP81085MTTXG

Datasheet

模拟与电源

HIGH PERFORMANCE DUAL MOSFET GAT

在产9-WDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号NCP81085
Channel TypeSingle
Driven ConfigurationHigh-Side and Low-Side
Gate TypeN-Channel MOSFET
输入类型Non-Inverting
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)8ns, 7ns

电气

Current - Peak Output (Source, Sink)4A, 4A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)200 V
Logic Voltage - VIL, VIH0.8V, 2.7V
供电电压8.5V ~ 20V

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case9-WDFN Exposed Pad
供应商器件封装9-WDFN (4x5)

环境

工作温度-40°C~140°C(TJ)