NCP303150MNTWG

onsemi

NCP303150MNTWG

Datasheet

模拟与电源

IC GATE DRVR HALF BRD/LOW PQFN39

在产39-PowerVFQFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号NCP303150
Channel TypeSingle
Driven ConfigurationHalf-Bridge, Low-Side
Gate TypeN-Channel MOSFET
输入类型Non-Inverting
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)17ns, 26ns

电气

Current - Peak Output (Source, Sink)100mA, 100mA
High Side Voltage - Max (Bootstrap)30 V
Logic Voltage - VIL, VIH0.65V, 2.7V
供电电压4.5V ~ 5.5V

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case39-PowerVFQFN
供应商器件封装39-PQFN (5x6)

环境

工作温度-40°C ~ 125°C (TJ)