LM5110-1SDX/NOPB

National Semiconductor

LM5110-1SDX/NOPB

模拟与电源

LM5110 DUAL 5A COMPOUND GATE DRI

在产10-WDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Channel TypeIndependent
Driven ConfigurationLow-Side
Gate TypeIGBT, N-Channel MOSFET
输入类型Non-Inverting
制造商National Semiconductor
安装类型Surface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)14ns, 12ns

电气

Current - Peak Output (Source, Sink)3A, 5A
Logic Voltage - VIL, VIH0.8V, 2.2V
供电电压3.5V ~ 14V

机械

封装Bulk
Package / Case10-WDFN Exposed Pad
供应商器件封装10-WSON (4x4)

环境

工作温度-40°C~125°C(TJ)