IXDN614YI

IXYS Integrated Circuits Division

IXDN614YI

Datasheet

模拟与电源

IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-5

在产TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号IXDN614
Channel TypeSingle
Driven ConfigurationLow-Side
Gate TypeIGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
输入类型Non-Inverting
制造商IXYS Integrated Circuits Division
安装类型Surface Mount
Number of Drivers1
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)25ns, 18ns

电气

Current - Peak Output (Source, Sink)14A, 14A
Logic Voltage - VIL, VIH0.8V, 3V
供电电压4.5V ~ 35V

机械

封装Tube
Package / CaseTO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
供应商器件封装TO-263-5

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)