HIP6602ACR

Intersil

HIP6602ACR

模拟与电源

HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER

在产16-VQFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Channel TypeSynchronous
Driven ConfigurationFull-Bridge
Gate TypeN-Channel MOSFET
输入类型Non-Inverting
制造商Intersil
安装类型Surface Mount
Number of Drivers4
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)20ns, 20ns

电气

Current - Peak Output (Source, Sink)730mA, -
供电电压1.8V ~ 13.2V

机械

封装Bulk
Package / Case16-VQFN Exposed Pad
供应商器件封装16-QFN (5x5)

环境

工作温度0°C~85°C(TA)