HIP6601ACB-T

Intersil

HIP6601ACB-T

模拟与电源

HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER

在产8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号HIP6601
Channel TypeSynchronous
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeN-Channel MOSFET
输入类型Non-Inverting
制造商Intersil
安装类型Surface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)20ns, 20ns

电气

Current - Peak Output (Source, Sink)730mA
供电电压10.8V ~ 13.2V

机械

封装Bulk
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SOIC

环境

工作温度0°C ~ 85°C (TA)