IRS2008MPBFAUMA1

Infineon Technologies

IRS2008MPBFAUMA1

Datasheet

模拟与电源

LEVEL SHIFT JUNCTION ISO

在产14-VFQFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号IRS2008
Channel TypeSynchronous
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeIGBT, N-Channel MOSFET
输入类型CMOS
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Number of Drivers1
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)70ns, 30ns

电气

Current - Peak Output (Source, Sink)290mA, 600mA
High Side Voltage - Max (Bootstrap)200 V
Logic Voltage - VIL, VIH0.8V, 2.5V
供电电压10V ~ 20V

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case14-VFQFN Exposed Pad
供应商器件封装14-MLPQ (4x4)

环境

工作温度-40°C ~ 125°C (TA)