IR11662STRPBF

Infineon Technologies

IR11662STRPBF

模拟与电源

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

在产8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号IR11662
Channel TypeSingle
Driven ConfigurationLow-Side
Gate TypeN-Channel MOSFET
输入类型Non-Inverting
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Number of Drivers1
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)21ns, 10ns
系列Advanced Smart Rectifier™

电气

Current - Peak Output (Source, Sink)1A, 4A
Logic Voltage - VIL, VIH2V, 2.15V
供电电压11.4V ~ 18V

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SOIC

环境

工作温度-25°C ~ 125°C (TJ)