2EDN7523GXTMA1

Infineon Technologies

2EDN7523GXTMA1

Datasheet

模拟与电源

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8WSON

在产8-WDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号2EDN7523
Channel TypeIndependent
Driven ConfigurationLow-Side
Gate TypeN-Channel MOSFET
输入类型Inverting
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)5.3ns, 4.5ns
系列EiceDriver™

电气

Current - Peak Output (Source, Sink)5A, 5A
供电电压4.5V ~ 20V

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-WDFN Exposed Pad
供应商器件封装PG-WSON-8-1

环境

工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)