2ED2183S06FXUMA1

Infineon Technologies

2ED2183S06FXUMA1

Datasheet

模拟与电源

IC HALF BRIDGE GATE DRIVER 650V

在产8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号2ED2183
Channel TypeSynchronous
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeIGBT, N-Channel MOSFET
输入类型Non-Inverting
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Number of Drivers1
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)15ns, 15ns

电气

Current - Peak Output (Source, Sink)2.5A, 2.5A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)650 V
Logic Voltage - VIL, VIH1.1V, 1.7V
供电电压10V ~ 20V

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装PG-DSO-8-53

环境

工作温度-40°C~125°C(TA)