1EDN7550BXTSA1

Infineon Technologies

1EDN7550BXTSA1

Datasheet

模拟与电源

IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6

在产SOT-23-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号1EDN7550
Channel TypeSingle
Driven ConfigurationHigh-Side
Gate TypeN-Channel, P-Channel MOSFET
输入类型Non-Inverting
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Number of Drivers1
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)6.5ns, 4.5ns
系列EiceDriver™

电气

Current - Peak Output (Source, Sink)4A, 8A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)84 V
供电电压4.5V ~ 20V

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6
供应商器件封装PG-SOT23-6

环境

工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)