1EBN1001AEXUMA1

Name: 1EBN1001AEXUMA1
Brand: Infineon Technologies

模拟与电源

IC GATE DRV HI/LOW SIDE DSO14-43

在产14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

基础料号	1EBN1001
Channel Type	Single
Driven Configuration	High-Side or Low-Side
Gate Type	IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
制造商	Infineon Technologies
安装类型	Surface Mount
Number of Drivers	1
Product Status	Active
Rise / Fall Time (Typ)	50ns, 90ns
系列	Automotive, AEC-Q100, EiceDriver™

High Side Voltage - Max (Bootstrap)	1200 V
Logic Voltage - VIL, VIH	1.5V, 3.5V
供电电压	13V ~ 18V

工作温度	-40°C ~ 150°C (TJ)