YJQ40P03A

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd

YJQ40P03A

Datasheet

模拟与电源

P-CH MOSFET 30V 40A DFN3333-8L

在产8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 20A, 20V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2152 pF @ 15 V
制造商Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Ta)
最大功耗32W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装8-DFN (3.3x3.3)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)