YJG60G10A

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd

YJG60G10A

Datasheet

模拟与电源

N-CH MOSFET 100V 60A PDFN5060-8L

在产8-PowerLDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.6mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2431 pF @ 50 V
制造商Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tc)
最大功耗88W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerLDFN
供应商器件封装8-PDFN (5x6)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)