YJG15N15B

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd

YJG15N15B

模拟与电源

N-CH MOSFET 150V 15A PDFN5060-8L

在产8-PowerLDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds625 pF @ 75 V
制造商Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Tc)
最大功耗45W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerLDFN
供应商器件封装8-PDFN (5x6)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)