BSS123

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd

BSS123

Datasheet

模拟与电源

N-CH MOSFET 100V 0.2A SOT-23-3L

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 200mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds14 pF @ 50 V
制造商Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Ta)
最大功耗350mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)