XP4N2R1MT

Name: XP4N2R1MT
Brand: YAGEO XSEMI

模拟与电源

FET N-CH 40V 37.5A 170A PMPAK

在产8-PowerLDFN模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.1mOhm @ 20A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9056 pF @ 20 V
制造商	YAGEO XSEMI
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	XP4N2R1
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA

漏源电压	40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	37.5A (Ta), 170A (Tc)
最大功耗	5W (Ta), 104W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)