XP3NA2R4MT

Name: XP3NA2R4MT
Brand: YAGEO XSEMI

模拟与电源

FET N-CH 30V 36.5A 118A PMPAK

在产8-PowerLDFN模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4mOhm @ 20A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	65.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5600 pF @ 15 V
制造商	YAGEO XSEMI
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	XP3NA2R4
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA

漏源电压	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	36.5A (Ta), 118A (Tc)
最大功耗	5W (Ta), 52W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)