XP3N9R5AYT

YAGEO XSEMI

XP3N9R5AYT

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 38.7A PMPAK

在产8-PowerDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs9.5mOhm @ 9.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1280 pF @ 15 V
制造商YAGEO XSEMI
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列XP3N9R5A
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Ta), 38.7A (Tc)
最大功耗3.57W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerDFN
供应商器件封装PMPAK® 3 x 3

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)