XP3N9R5AH

Name: XP3N9R5AH
Brand: YAGEO XSEMI

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 38.5A TO252

在产TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5mOhm @ 20A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1280 pF @ 15 V
制造商	YAGEO XSEMI
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	XP3N9R5A
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA

漏源电压	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	38.5A (Ta)
最大功耗	2W (Ta), 22.7W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)