E3M0120090J-TR

Name: E3M0120090J-TR
Brand: Wolfspeed, Inc

模拟与电源

SIC, MOSFET, 120M, 900V, TO-263

在产模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	155mOhm @ 15A, 15V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	414 pF @ 600 V
制造商	Wolfspeed, Inc.
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	E
技术	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (Max)	+15V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 3mA

漏源电压	900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	22A (Tc)
最大功耗	83W (Tc)

封装	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
供应商器件封装	TO-263-7

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)