E3M0120090J

Wolfspeed, Inc

E3M0120090J

Datasheet

模拟与电源

900V 120M AUTOMOTIVE SIC MOSFET

在产TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs155mOhm @ 15A, 15V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds414 pF @ 600 V
制造商Wolfspeed, Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列E-Series, Automotive
技术SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+15V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 3mA

电气

漏源电压900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A (Tc)
最大功耗83W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
供应商器件封装TO-263-7

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)