E3M0060065D

Wolfspeed, Inc

E3M0060065D

Datasheet

模拟与电源

60M 650V SIC AUTOMOTIVE MOSFET

在产TO-247-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs79mOhm @ 13.2A, 15V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1170 pF @ 600 V
制造商Wolfspeed, Inc.
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列Automotive, AEC-Q101
技术SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (Max)+19V, -8V
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 3.6mA

电气

漏源电压650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C37A (Tc)
最大功耗131W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-247-3
供应商器件封装TO-247-3

环境

工作温度-40°C~175°C(TJ)