E3M0021120K

Wolfspeed, Inc

E3M0021120K

Datasheet

模拟与电源

SIC, MOSFET, 21M, 1200V, TO-247

在产TO-247-4模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs28.8mOhm @ 62.1A, 15V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs177 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5100 pF @ 1000 V
制造商Wolfspeed, Inc.
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列E
技术SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (Max)+19V, -8V
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 17.1mA

电气

漏源电压1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C104A (Tc)
最大功耗405W (Tc)

机械

封装Tube
供应商器件封装TO-247-4L

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101