CPMF-1200-S080B

Wolfspeed, Inc

CPMF-1200-S080B

Datasheet

模拟与电源

SICFET N-CH 1200V 50A DIE

停产/老旧Die模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 20A, 20V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs90.8 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1915 pF @ 800 V
制造商Wolfspeed, Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列Z-FET™
技术SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+25V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

电气

漏源电压1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Tj)
最大功耗313mW (Tj)

机械

封装Bulk
Package / CaseDie
供应商器件封装Die

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)