CCB016M12GM3

Wolfspeed, Inc

CCB016M12GM3

Datasheet

模拟与电源

SIC, MODULE, 16M,1200V, 48 MM, G

在产Module模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs20.8mOhm @ 50A, 15V
配置6 N-Channel
FET FeatureSilicon Carbide (SiC)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs236nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6700pF @ 1000V
制造商Wolfspeed, Inc.
安装类型Chassis Mount
Product StatusActive
技术Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id3.9V @ 23mA

电气

漏源电压1200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Tj)
Power - Max10mW

机械

封装Tray
Package / CaseModule
供应商器件封装Module

环境

工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)