CAB008A12GM3T

Wolfspeed, Inc

CAB008A12GM3T

Datasheet

模拟与电源

SIC 2N-CH 1200V 182A MODULE

在产Module模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs10.4mOhm @ 150A, 15V
基础料号CAB008
配置2 N-Channel (Half Bridge)
FET FeatureSilicon Carbide (SiC)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs472nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13600pF @ 800V
制造商Wolfspeed, Inc.
安装类型Chassis Mount
Product StatusActive
技术Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 46mA

电气

漏源电压1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C182A (Tj)

机械

封装Box
Package / CaseModule
供应商器件封装Module

环境

工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)