C3M0160120J-TR

Wolfspeed, Inc

C3M0160120J-TR

Datasheet

模拟与电源

SIC, MOSFET, 160M, 1200V, TO-263

在产模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs208mOhm @ 8.5A, 15V
基础料号C3M0160120
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds632 pF @ 1000 V
制造商Wolfspeed, Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列C3M™
技术SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (Max)+15V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 2.33mA

电气

漏源电压1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Tc)
最大功耗90W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
供应商器件封装TO-263-7

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)