C3M0120100J-TR

Wolfspeed, Inc

C3M0120100J-TR

Datasheet

模拟与电源

SIC, MOSFET, 120M, 1000V, TO-263

在产TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs155mOhm @ 15A, 15V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds414 pF @ 600 V
制造商Wolfspeed, Inc.
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
系列C3M™
技术SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (Max)+15V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 3mA

电气

漏源电压1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A (Tc)
最大功耗83W (Tc)

机械

Package / CaseTO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
供应商器件封装D2PAK-7

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)