C3M0120065D

Wolfspeed, Inc

C3M0120065D

Datasheet

模拟与电源

650V 120M SIC MOSFET

在产TO-247-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs157mOhm @ 6.76A, 15V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds640 pF @ 400 V
制造商Wolfspeed, Inc.
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列C3M™
技术SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+19V, -8V
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 1.86mA

电气

漏源电压650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A (Tc)
最大功耗98W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-247-3
供应商器件封装TO-247-3

环境

工作温度-40°C ~ 175°C (TJ)