C2M0160120D

Wolfspeed, Inc

C2M0160120D

Datasheet

模拟与电源

SICFET N-CH 1200V 19A TO247-3

已停产TO-247-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs196mOhm @ 10A, 20V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32.6 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds527 pF @ 800 V
制造商Wolfspeed, Inc.
安装类型Through Hole
Product StatusNot For New Designs
系列Z-FET™
技术SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+25V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 500µA

电气

漏源电压1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C19A (Tc)
最大功耗125W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-247-3
供应商器件封装TO-247-3

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)