W989D2DBJX6E

Winbond Electronics

W989D2DBJX6E

Datasheet

存储器与存储

IC DRAM 512MBIT LVCMOS 90VFBGA

在产90-TFBGA存储器与存储

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

存储器类型Volatile
技术SDRAM - Mobile LPSDR
访问时间5 ns
基础料号W989D2
制造商Winbond Electronics
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
写周期时间15ns

电气

存储容量512Mbit
存储格式DRAM
Memory InterfaceLVCMOS
时钟频率166 MHz
供电电压1.7V ~ 1.95V
Memory Organization16M x 32

机械

封装Tray
Package / Case90-TFBGA
供应商器件封装90-VFBGA (8x13)

环境

工作温度-25°C ~ 85°C (TC)