TP0610KL-TR1-E3

Vishay Siliconix

TP0610KL-TR1-E3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 60V 270MA TO226AA

停产/老旧TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs6Ohm @ 500mA, 10V
基础料号TP0610
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3 nC @ 15 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Through Hole
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态停产/老旧
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C270mA (Ta)
最大功耗800mW (Ta)

机械

Package / CaseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装TO-226AA (TO-92)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)