通用
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 580mA, 4.5V |
|---|---|
| 基础料号 | TP0101 |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2 nC @ 4.5 V |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 50µA |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 20 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 580mA (Ta) |
机械
| 封装 | Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 (TO-236) |