SUM50N06-16L-E3

Vishay Siliconix

SUM50N06-16L-E3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

停产/老旧TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 20A, 10V
基础料号SUM50
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1325 pF @ 25 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Tc)
最大功耗3.7W (Ta), 93W (Tc)

机械

封装Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装TO-263 (D²Pak)

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)