SUM40014M-GE3

Vishay Siliconix

SUM40014M-GE3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7

在产TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.99Ohm @ 20A, 10V
基础料号SUM40014
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds15780 pF @ 20 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA

电气

漏源电压40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200A (Tc)
最大功耗375W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
供应商器件封装TO-263-7

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)