SUM36N20-54P-E3

Vishay Siliconix

SUM36N20-54P-E3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 200V 36A TO263

停产/老旧TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs53mOhm @ 20A, 15V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs127 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3100 pF @ 25 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

电气

漏源电压200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C36A (Tc)
最大功耗3.12W (Ta), 166W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装TO-263 (D²Pak)

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)