SUD40N02-08-E3

Vishay Siliconix

SUD40N02-08-E3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 40A TO252

停产/老旧TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.5mOhm @ 20A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2660 pF @ 20 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id600mV @ 250µA (Min)

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Tc)
最大功耗8.3W (Ta), 71W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装TO-252AA

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)